[vsesdal]
Количество страниц учебной работы: 80
Содержание:
Введение………………………………………………………
Глава 1. Основы теории электропроводности полупроводников…….
1.1.Общая характеристика полупроводников.
1.2.Токи в полупроводниках ……………………………
1.3.Контактные явления……………………….
1.4.Разновидности p-n переходов…………………..
Глава 2. Полупроводниковые диоды……………………..
2.1.Классификация……………………….
2.2. Выпрямительные диоды………………………….
2.3. Стабилитроны и стабисторы……………………
2.4.Универсальные и импульсные диоды……………….
2.5.Варикапы…………………………..
Глава 3. Биполярные транзисторы…………………..
3.1.Принцип действия биполярного транзистора.
3.2.Статические характеристики биполярных транзисторов…..
3.3.Дифференциальные параметры биполярного транзистора……
3.4.Линейная модель биполярного транзистора……
3.5.Частотные свойства биполярного транзистора………….
3.6. Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов.
3.7.Работа транзистора в усилительном режиме…………
3.8.Особенности работы транзистора в импульсном режиме…
Глава 4. Полевые транзисторы………………….
4.1.Полевой транзистор с p-n переходом…………….
4.2.Полевой транзистор с изолированным затвором
Литература
Стоимость данной учебной работы: 1950 руб.

 

    Форма заказа работы
    ================================

    Укажите Ваш e-mail (обязательно)! ПРОВЕРЯЙТЕ пожалуйста правильность написания своего адреса!

    Укажите № работы и вариант

    Соглашение * (обязательно) Федеральный закон ФЗ-152 от 07.02.2017 N 13-ФЗ
    Я ознакомился с Пользовательским соглашением и даю согласие на обработку своих персональных данных.

    Учебная работа № 188116. Диплом Физика в электронике

    Выдержка из похожей работы

    …….

    Физика

    …..nst
    i
    Точечный заряд это физич. абстракция.
    Точечным зарядом принято называть заряж. тело розмера которого малы по
    сравнению с расст. до точки исследования.
    Одноименные заряды отталкиваются, разноименные притягиваются.
                 Зак. Куллона.
    Сила взаимодействия междуточечными неподвиж зарядами
    q1 и q2 прямопропорцианальны
    величине этих зарядов и обратнопропорц. расст. между ними.
    F=k´((q1q2)/r2
    k=1/4pe0         e0=8,85´10-12 Ф/M
    e0 – фундоментальная газовая постоянная назв
    газовой постоянной.
    k=9109 M/Ф
       Зак. Куллона (в другом виде)
    F=(1/4pe0)´çq1q2ç/r2
    вакуум e=1
    F=(1/4pe0)´çq1q2ç/er2
    для среды e¹1
    Если точечн. заряд поместитьв однородн. безгранич.среду 
    куллоновская сила уменьшится в e раз по
    сравнению с вакуумом. e – диэлектр.
    проницаемость среды.
    У любой среды кроме вакуума e>1.
    Зак. Куллона в векторной форме.
    Для этого воспользуемся  единичным ортом по направлению вдоль расстояния
    между двумя зарядами.
    _  _     _   _
    er=r/r   r =er´r
    _                              _
    F=(1/4pe0)´(çq1q2ç´r)/r3 векторная
    форма
    В Си – сист единица заряда 1Кл=1А´с 
    1Куллон
    – это заряд, протекаемый за 1 с  через все поперечное сечение проводника, по
    которому течет
    то А с силой 1А.
    Зак.Куллона может быть применен  для тел значительных размеров если их
    разбить
    на точечные заряды.
    Кулл. силы – центральные, т.е.
    они направлены по линии соед.
    центр зарядов.
    Зак. Куллона справедлив для очень больших расстояний до десятков километров.
    При уменьш. расст. до 10-15 м справедлив, при меньших несправедлив.
    Электростатич. поле.
    Хар. электростатич.поля.
      
     _   _
    (Е, D, j)
    В пространстве  вокруг эл. зарядов возникает электростатическое поле
    (заряды не подвиж.).
    Принято считать, что электростатическое поле является объективной
    реальностью. Обнаружить поле можно с помощью пробных электрических зарядов.
    Пробн., полож., точечный заряд  должен быть таким, чтобы он не искажал
    картины иследуемого поля.
       Напр. электростатич. поля.
    _
    Е – напряженность электростатического поля. Напряженность электростатического
    поля является силовой характеристикой.
    _    Напр. поля в данной
    Е=F/q0         точке пространства
    явл. физ. вел. численно  равная  силе  (куллоновск.)
    действ. в данной точке на единичный неподвижный пробный заряд.
    [E]=H/Кл        [E]=В/м
    Силовая линия – линия, в каждой точке которой напр. поля Е направлена по касательной.
    Силовые линии строят с опред.
    густотой соответствующей модулю напр. поля: через площадку  1 м2
    проводят количество линий Е равное модулю Е.
    При графическом представлении видно, что в местах с более
    густым располож. Е напр. больше.
    Вывод формул для напр. поля точечн. заряда.
    q – заряд создающий поле.
    q0 – пробн. заряд.
    Е=(1/4pe0)´(q´q0)/(r2´q0)
    E=(1/4pe0)´q/r2
    Из E=(1/4pe0)´q/r2 следует что Е зависет прямопропорцианально
    величине заряда и обратнопропорц. расст. от заряда до т. исследов.
    В однородн. безгр. среде с e¹1
    (e>1) напр. поля уменьш. в e раз.
    E=(1/4pe0)´q/er2
    _  
    E=(1/4pe0)´q2/r3
        Электрическое смещение.
                                          _
    Опред. формулой для D явл. следущее в данной т. среды электрическое
    смещение численно равно произвед. диэлектр. проницаемости, эл. постоянн. и
    напр. поля.
                                              _
    D­ ­E                   D=ee0E
    [D]=Кл/м2
    Напр. эл. поля завсет  от e среды
    поэтому при наличии несколбких гран…