решить задачу
Количество страниц учебной работы: 3,7

Содержание:
“Задача 28 (В10).
Дано: d=1,4 м, B=4 м, h1/d=0,6, h2/d=1
Определить Р

Стоимость данной учебной работы: 195 руб.

 

    Форма заказа работы
    ================================

    Укажите Ваш e-mail (обязательно)! ПРОВЕРЯЙТЕ пожалуйста правильность написания своего адреса!

    Укажите № работы и вариант

    Соглашение * (обязательно) Федеральный закон ФЗ-152 от 07.02.2017 N 13-ФЗ
    Я ознакомился с Пользовательским соглашением и даю согласие на обработку своих персональных данных.

    Подтвердите, что Вы не бот

    Учебная работа № 186278. Контрольная Давление цилинд затвор, задача 28

    Выдержка из похожей работы

    …….

    Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором

    …..оэлектроники
    является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной
    базы – интегральных микросхем.

    Развитие вопросов проектирования и
    совершенствование технологии позволило в короткий срок создать
    высокоинтегрированные функциональные узлы, например в виде больших (БИС),
    сверхбольших (СБИС), ультрабольших (УБИС) микросхем и программируемых устройств
    – микропроцессоров.

    Интегральные изделия имеют малые габариты,
    экономное потребление энергоресурсов, низкую стоимость и высокую надежность,
    что позволило развить электронику в интегральную и функциональную
    микроэлектронику, далее в наноэлектронику.

    Это в свою очередь создает базу интенсивного
    развития современного общества во всех сферах (медицина, информатика,
    автоматизация техпроцессов и др.).

    Типы ИМС, конструкция элементов и компонентов Yandex.RTB R-A-98177-2

    (function(w, d, n, s, t) {
    w[n] = w[n] || [];
    w[n].push(function() {
    Ya.Context.AdvManager.render({
    blockId: “R-A-98177-2”,
    renderTo: “yandex_rtb_R-A-98177-2”,
    async: true
    });
    });
    t = d.getElementsByTagName(“script”)[0];
    s = d.createElement(“script”);
    s.type = “text/javascript”;
    s.src = “//an.yandex.ru/system/context.js”;
    s.async = true;
    t.parentNode.insertBefore(s, t);
    })(this, this.document, “yandexContextAsyncCallbacks”);

    Интегральные микросхемы чаще всего имеют ряд
    общих конструктивных признаков рис.1.

    Рисунок 1. Конструкция интегральной микросхемы.

    -подложка или кристалл; 2-корпус; 3-крышка;
    4-внешние выводы; 5-гибкие выводы.

    Основной, определяющей тип ИМС, частью является
    подложка или кристалл 1. В ней или на ее поверхности формируются элементы,
    реализующие схемотехническую задачу. Корпус 2, крышка 3, внешние 4 и гибкие 5
    выводы выполняют ряд вспомогательных задач: защиту от внешних воздействий,
    коммутацию входных и выходных сигналов, удобство монтажа и т.п.

    В зависимости от типа подложки и способа
    реализации элементов различают полупроводниковые и пленочные ИМС.

    В полупроводниковых ИМС элементы выполняются
    непосредственно в поверхностном слое на небольшом расстоянии друг от друга с
    коммутацией в виде тонкопленочных дорожек на поверхности рис.2.

    В полупроводниковых ИМС выполняются с хорошей
    воспроизводимостью выходных параметров активные элементы (транзисторы, диоды и
    др.), в то же время нерационально из-за большой площади изготавливать пассивные
    элементы.

    Эта особенность позволяет выполнять множество
    различных устройств типа генераторов, пускателей, детекторов и др. Применение
    таких ИМС дает существенное уменьшение веса (массы), габаритов, снижения
    энергопотребления, повышения надежности. На полупроводниковых ИМС удается
    организовать наиболее компактные устройства.

    В пленочных ИМС элементы выполняются на
    поверхности пассивной подложки (стекло, керамика, ситалл и др.) в виде тонких и
    толстых пленок.

    Рисунок 2. Полупроводниковые элементы ИМС.

    -подложка кремневая; 2-плонарный транзистор;
    3-интегральный резистор.

    В пленочных ИМС затруднительно получение
    активных элементов, однако есть прекрасные возможности для формирования всего
    набора пассивных (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и др.)
    элементов достаточно широкого диапазона номиналов с хорошей воспроизводимостью.

    Транзисторы со структурой МДП представляют собой
    одну из разновидностей полевых транзисторов – активных полупроводниковых
    приборов, в которых используются эффекты дрейфа основных носителей под
    действием продольного электрического поля и модуляции дрейфового тока
    поперечным электрическим полем. Действие полевых транзисторов основано на
    перемещении только основных носителей заряда в полупроводниковом материале, в
    связи, с чем эти транзисторы называют униполярными в отличие от биполярных,
    использующих оба типа носителей.

    МДП-транзисторы имеют существенные преимущества
    перед биполярными по конструкции (размеры и занимаемая ими площадь относительно
    невелики, в принципе, отсутствует необходимость их изоляции) и
    электрофиз…