Контрольная Давление цилинд затвор, задача 28. Учебная работа № 186278

Учебная работа № 186278. Контрольная Давление цилинд затвор, задача 28

Выдержка из похожей работы

…….

Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором

…..оэлектроники
является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной
базы – интегральных микросхем.

Развитие вопросов проектирования и
совершенствование технологии позволило в короткий срок создать
высокоинтегрированные функциональные узлы, например в виде больших (БИС),
сверхбольших (СБИС), ультрабольших (УБИС) микросхем и программируемых устройств
– микропроцессоров.

Интегральные изделия имеют малые габариты,
экономное потребление энергоресурсов, низкую стоимость и высокую надежность,
что позволило развить электронику в интегральную и функциональную
микроэлектронику, далее в наноэлектронику.

Это в свою очередь создает базу интенсивного
развития современного общества во всех сферах (медицина, информатика,
автоматизация техпроцессов и др.).

Типы ИМС, конструкция элементов и компонентов Yandex.RTB R-A-98177-2

(function(w, d, n, s, t) {
w[n] = w[n] || [];
w[n].push(function() {
Ya.Context.AdvManager.render({
blockId: “R-A-98177-2”,
renderTo: “yandex_rtb_R-A-98177-2”,
async: true
});
});
t = d.getElementsByTagName(“script”)[0];
s = d.createElement(“script”);
s.type = “text/javascript”;
s.src = “//an.yandex.ru/system/context.js”;
s.async = true;
t.parentNode.insertBefore(s, t);
})(this, this.document, “yandexContextAsyncCallbacks”);

Интегральные микросхемы чаще всего имеют ряд
общих конструктивных признаков рис.1.

Рисунок 1. Конструкция интегральной микросхемы.

-подложка или кристалл; 2-корпус; 3-крышка;
4-внешние выводы; 5-гибкие выводы.

Основной, определяющей тип ИМС, частью является
подложка или кристалл 1. В ней или на ее поверхности формируются элементы,
реализующие схемотехническую задачу. Корпус 2, крышка 3, внешние 4 и гибкие 5
выводы выполняют ряд вспомогательных задач: защиту от внешних воздействий,
коммутацию входных и выходных сигналов, удобство монтажа и т.п.

В зависимости от типа подложки и способа
реализации элементов различают полупроводниковые и пленочные ИМС.

В полупроводниковых ИМС элементы выполняются
непосредственно в поверхностном слое на небольшом расстоянии друг от друга с
коммутацией в виде тонкопленочных дорожек на поверхности рис.2.

В полупроводниковых ИМС выполняются с хорошей
воспроизводимостью выходных параметров активные элементы (транзисторы, диоды и
др.), в то же время нерационально из-за большой площади изготавливать пассивные
элементы.

Эта особенность позволяет выполнять множество
различных устройств типа генераторов, пускателей, детекторов и др. Применение
таких ИМС дает существенное уменьшение веса (массы), габаритов, снижения
энергопотребления, повышения надежности. На полупроводниковых ИМС удается
организовать наиболее компактные устройства.

В пленочных ИМС элементы выполняются на
поверхности пассивной подложки (стекло, керамика, ситалл и др.) в виде тонких и
толстых пленок.

Рисунок 2. Полупроводниковые элементы ИМС.

-подложка кремневая; 2-плонарный транзистор;
3-интегральный резистор.

В пленочных ИМС затруднительно получение
активных элементов, однако есть прекрасные возможности для формирования всего
набора пассивных (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и др.)
элементов достаточно широкого диапазона номиналов с хорошей воспроизводимостью.

Транзисторы со структурой МДП представляют собой
одну из разновидностей полевых транзисторов – активных полупроводниковых
приборов, в которых используются эффекты дрейфа основных носителей под
действием продольного электрического поля и модуляции дрейфового тока
поперечным электрическим полем. Действие полевых транзисторов основано на
перемещении только основных носителей заряда в полупроводниковом материале, в
связи, с чем эти транзисторы называют униполярными в отличие от биполярных,
использующих оба типа носителей.

МДП-транзисторы имеют существенные преимущества
перед биполярными по конструкции (размеры и занимаемая ими площадь относительно
невелики, в принципе, отсутствует необходимость их изоляции) и
электрофиз…