[vsesdal]
Количество страниц учебной работы: 6
Содержание:
«Диод:
Диод КД 226А
Рассчитать и выполнить: Схему включения (Еп — диод(ы) — Rн)
Стабилитрон:
Стабилитрон КС433А
Транзистор:
Транзисторы КТ315А
Исходные данные:
Питающее напряжение Uи.п.=12 В.
Pmax=150 мВт; Imax=100 мА; h21>30.
Принимаем Rк=10*Rэ
Напряжение б-э рабочей точки транзистора принимаем Uбэ = 0,66 В
»
Учебная работа № 186380. Контрольная Диод. Стабилитрон. Транзистор
Выдержка из похожей работы
Расчёт параметров и характеристик полупроводникового диода и транзистора МДП – типа
…..кте рассмотрены структура, основные элементы и вольтамперные
характеристики полупроводниковых диодов, принцип действия, структура и условные графические
обозначения МДП-транзисторов.
В результате
расчетов определены параметры и характеристики выпрямительного диода и МДП-транзистора.
В соответствии с полученными результатами расчетов построены соответствующие графики.
Выпрямительный диод, нагрузка, p-n-переход,
легирование, потенциальный барьер, уровень Ферми, запрещенная зона, зона
проводимости, валентная зона, контактная разность потенциалов, диффузионный
ток, транзистор, сток, исток, затвор, инжекция, экстракция, рекомбинация,
лавинный пробой, туннельный пробой, тепловой пробой, подложка
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ…………………………………………………………………………5
1 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ………………………………………….6
1.1 Структурные
особенности полупроводникового диода…………….6
1.2 Прямое
включение диода……………………………………………….6
1.3 Обратное включение диода…………………………………………….7
2 ТРАНЗИСТОРЫ МДП-ТИПА………………………………………………….9
2.1 Конструкция и принцип действия……………………………………9
2.2 Условные графические обозначения МОП
– транзисторов…………10
3 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК ВЫПРЯМИТЕЛЬНОГО ДИОДА……………………………………………………………..11
3.1 Исходные
данные…………………………………………………..11
3.2 Модель
выпрямительного диода…………………………………….11
3.3 Расчет
параметров и характеристик диода………………………14
4 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК
МДП-ТРАНЗИСТОРА…………………………………………..…………….22
ВЫВОДЫ……………………………………………………………………….26
СПИСОК ССЫЛОК…………………………………………………………….27
ВВЕДЕНИЕ
Широкое применение полупроводниковых приборов
объясняется тем, что по сравнению с электронными лампами они обладают неоспоримыми
преимуществами, главными среди которых являются малые габариты и вес, высокий
коэффициент полезного действия, почти неограниченный срок службы, высокая
эксплуатационная надежность. Такие приборы способны работать при малых
напряжениях питания и на высоких частотах.
Наиболее распространёнными приборами в электронике являются
выпрямительные диоды, полупроводниковые стабилитроны, туннельные, импульсные и
СВЧ диоды, а также биполярные и полевые транзисторы, которые используются в
преобразовательных устройствах в качестве усилителей и вентилей. Широкое
распространение получили полностью управляемые вентили — биполярные и полевые
транзисторы, заменяющие диоды и тиристоры, особенно в устройствах малой и
средней мощности.
Для того чтобы конструировать электронные схемы и эффективно применять
полупроводниковые приборы нужно знать принципы их действия и основные
параметры. Изложение этих фундаментальных представлений являются основной
задачей твердотельной электроники как науки и учебной дисциплины [1].
1 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
1.1
Структурные особенности полупроводникового диода
Полупроводниковым диодом называют нелинейный
электронный прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней структуры,
типа, количества, уровня легирования внутренних элементов диода характеристики
полупроводниковых диодов бывают различными. Основу выпрямительного диода
составляет обычный электронно-дырочный переход (рис. 1.1). Вольт-амперная
характеристика такого диода имеет ярко выраженную нелинейность. В прямом
смещении ток диода инжекционный, большой по величине и представляет собой
диффузионную компоненту тока основных носителей. При обратном смещении ток
диода маленький по величине и представляет собой дрейфовую компоненту тока
неоснов…