[vsesdal]
Количество страниц учебной работы: 13,4
Содержание:
«Задача 1.
Расчет (с учетом реактивного сопротивления трансформатора) выпрямителя на неуправляемых вентилях, работающего на противо-ЭДС при бесконечной индуктивности сглаживающего реактора.
Задача 2
Расчет характеристик выпрямительно-инверторного агрегата с учетом реактивного сопротивления трансформатора и при бесконечной индуктивности сглаживающего реактора.
Вентильная обмотка преобразовательного трансформатора в выпрямительном режиме развивает ЭДС EVВ=2500 В, а в инверторном включаются дополнительные секции обмотки и развивается ЭДС EVВ, отношение EVВ/ EVВ=1,1. Напряжение короткого замыкания трансформатора можно считать одинаковым для обоих режимов и равным uК=10%. Задается номинальный ток IdН=2000 А в выпрямительном режиме (среднее значение). Схема преобразователя двухпульсовая мостовая. Угол регулирования ?=25?.
Требуется:
1. Составить схему преобразователя, показав на ней переключатели, необходимые для перехода из выпрямительного режима в инверторный и обратно. На схеме должна быть так же приведена структурная схема системы управления тиристорами, обозначены положения переключателей «выпр.», «инв.».
2. Рассчитать и построить внешнюю характеристику преобразователя в выпрямительном режиме без применения регулирования (?=0).
3. Рассчитать и построить внешнюю характеристику выпрямителя при заданном угле регулирования ?.
4. Построить искусственную горизонтальную внешнюю характеристику инвертора на уровне напряжения холостого хода выпрямительного режима.
5. Построить ограничительную характеристику инвертора. Определить предельно допустимый ток инвертора при внешней характеристике, построенной по п. 4.
6. Найти угол опережения инвертора ? при номинальном токе в режиме инвертирования IdНИ при характеристике п. 4.
7. Построить диаграммы подачи управляющих импульсов, протекания тока в вентилях и напряжения на шинах постоянного тока для двух режимов преобразователя: выпрямительного с заданным ? и номинальным током IdНВ и инверторного с током IdНИ.
»
Учебная работа № 187559. Контрольная Электронная техника и преобразователи в электроснабжении
Выдержка из похожей работы
Материалы и элементы электронной техники
…..не может
служить однозначным критерием для классификации веществ.
Рис. 1
Зависимость удельного сопротивления от температуры (рис. 1)
дает более четкую границу. У металлов (химически чистых) зависимость
пропорциональна абсолютной температуре Т
r = rОМ(1 + aТ) (1)
в то время, как у невырожденных полупроводников, для некоторого
интервала температур
r = r0еb/Т или для проводимости s = s0е-b/Т, (2)
где rОМ — удельное сопротивление металла при 0оС,
a
—
термический коэффициент сопротивления, равный 1/273 (Т0 = 273), r0, b — некоторые постоянные для
данного интервала температур величины, характерны для каждого полупроводника.
Однако и этот критерий не абсолютен, т.к. в некотором
интервале температур Т полупроводник может вести себя подобно металлам, хотя
здесь и прослеживается положительный температурный коэффициент удельной проводимости
Ds/DT = (s2 — s1)/(Т2 — Т1)
> 0. (3)
Однозначным является характер этой зависимости при понижении
температуры до абсолютного нуля. У металлов при этом проводимость растет, а у
ряда металлов и сплавов наступает сверхпроводящее состояние. Тогда как у
полупроводников удельная проводимость с понижением температуры уменьшается, а
при абсолютном нуле они приближаются к диэлектрикам.
Из этого следует, что в полупроводнике свободные носители
заряда возникают при проведении к нему тепловой энергии. Эти носители называют тепловыми
или равновесными. Свободные носители могут появляться также при освещении,
облучении ядерными частицами, при наложении на полупроводник электрического
поля, при изменении внешнего давления. Возникающие носители заряда в этом случае
называются неравновесными и процесс их образования существенно зависит
от структуры полупроводника, наличия в нем примеси и пр.
Таким образом, полупроводник это такое вещество, которое
при комнатной температуре имеет удельную проводимость в интервале 10-10 — 104 Ом-1см-1, зависящую от структуры
вещества, вида и количества примеси и внешних условий: температуры, давления,
освещенности, облучения частицами, электрического и магнитного полей.
Существуют два типа проводников электрического тока:
электронные и ионные. Металлы — электронные проводники, электролиты — ионные. Полупроводники
могут быть как электронные, так и ионные, но мы будем рассматривать лишь
электронные полупроводники (это такие вещества, как: бор В, углерод С, кремний Si, фосфор Р, сера a-S, германий Ge, мышьяк As, серое олово a-Sn, сурьма b-Sb, селен Se (красный), теллур Те,
йод J,
ряд сложных соединений карбиды (SiC), антимониды (AlSb, GaSb, SnSb), арсениды (GaAs, SnAs), фосфиды (GaP, SnP), теллуриды (РbТе), окиси (ZnO), сульфиды (CdS, ZnS, PbS), селениды (СdSe) и др.
Рассмотрим механизм электропроводимости полупроводников на
основе элементарных полупроводников. Здесь электроны распределены по состояниям
следующим образом:
С(6) (1s2, 2s2, 2p2);
Si(14) (1s2, 2s2,
2p6, 3s2, 3p2);(32) (1s2,
2s2, 2p6, 3s2, 3p6, 3d10,
4s2, 4p2),
причем внешняя оболочка электронов заполнена частично, и
содержит четыре валентных электрона. При образовании кристалла четыре валентных
электрона каждого атома из состояния 3s2, 3p2 переходят в гибридное состояние 3p3 с не спаренными спинами
и образуют четыре пространственно-эквивален…