[vsesdal]
Количество страниц учебной работы: 15,4
Содержание:
ВВЕДЕНИЕ…………………………………………………………………3
1.МЕТОД ПОЛУЧЕНИЯ В ПЛАЗМЕ СИЛЬНОТОЧНОГО ДУГОВОГО РАЗРЯДА УЛЬТРА-НАНОДИСПЕРСНЫХ МАТЕРИАЛОВ ………………..5
2.РЕЗУЛЬТАТЫ ПРИМЕНЕНИЯ МЕТОДА …………………………..11
ЗАКЛЮЧЕНИЕ……………………………………………………………14
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ………………………15
1. Гусев А.И. Наноструктуры и технологии. М., 2012. 116 с.

2. Броскуровский Д.И. Импульсный разряд в вакууме. М, 2004. 256 с.

3. Баренгольц С.А., и др. Наноструктуры. 2011.СПб.2012.-145с.

4. Kарпов И.В., Технология металлов. 2012. -215с.

5. Anders A. // Nanotechnology. 2007. Vol. 3. Р. 167.

6. Anders A. // IEEE Plasma Sci. 2015. Vol. 2. Р. 258.

7. Кринберг И.А. // Технология металлов. 2011. Т. 2. –165c

9. Rietveld H.M. // Nanotechnology. 2009. Vol. 2. P. 371.

10. Wiles D.B. // Metal technology. 2001. Vol. 4. P. 151.
Стоимость данной учебной работы: 585 руб.

 

    Форма заказа работы
    ================================

    Укажите Ваш e-mail (обязательно)! ПРОВЕРЯЙТЕ пожалуйста правильность написания своего адреса!

    Укажите № работы и вариант

    Соглашение * (обязательно) Федеральный закон ФЗ-152 от 07.02.2017 N 13-ФЗ
    Я ознакомился с Пользовательским соглашением и даю согласие на обработку своих персональных данных.

    Учебная работа № 186761. Контрольная Метод получения в плазме сильноточного дугового разряда ультра-нанодисперсных материалов

    Выдержка из похожей работы

    …….

    Явление политипизма и методы получения различных политипов в SiC

    …..ладывается из нескольких
    составляющих: количество протонов и нейтронов в ядре, количество
    электронных оболочек, занятых электронами, и возможно ещё какие-то другие
    составляющие. Рассматриваемые в таком представлении атомы будут
    укладываться в кристалле как можно плотнее, соприкасаясь поверхностями
    своих сфер. Таким образом образуются плотнейшие упаковки (ПУ). В
    зависимости от своей химико-физической природы, атомы могут образовывать
    различные структуры. При образовании кристалла атом может присоединить к
    себе несколько других, не обязательно себе подобных. Максимальное
    количество соседей вокруг одного атома называется координационным числом.
    По этому числу можно определить какая структура образованна в кристалле.|к.ч. |3 |4 |6 |8 |
    |структура |равносторонний|тетраэдр |октаэдр |куб |
    | |треугольник | | | | Рассматривая ПУ послойно, обнаруживается, что соседние слои могут
    отличаться друг от друга, а также наблюдается периодичность групп слоёв. В
    зависимости от количества слоёв в одном периоде, ПУ делят на двух-, трёх-,
    четырёх- (и т.д.) слойные. Трёхслойные ПУ имеют кубическую структуру
    (например ГЦК решётка), а все остальные – гексагональную. Кубическая
    структура называется сфалеритом (S), а гексагональная – вюрцитом (W).
    Некоторые соединения могут образовывать различные структуры. Например, ZnS
    имеет две модификации – вюрцит и сфалерит. На основании вышеизложенного уже
    можно сформулировать определение того, что такое политипизм. Политипизм – это способность образовывать различные ПУ. Политипизм приводит к тому, что у кристаллов одного и того же
    химического состава наблюдаются вполне ощутимые различия различных
    физических параметров: количество основных и неосновных носителей заряда,
    ширина запрещённой зоны и т.д. Политипизм в SiC SiC является одним из представителей соединений, обладающих
    политипизмом. У этого соединения существует более 40 вариантов ПУ,
    известных на сегодняшний день. Для каждой ПУ существует своё обозначение:
    2H, 3C, 4H, 6H, … Наиболее распространённым политипом является 6H. В
    зависимости от политипа ширина запрещённой изменяется 2.8(3.5%.|Материал |Химический символ|Ширина запрещённой |Подвижность |
    | | |зоны, эВ |электронов, |
    | | | |см2/(В(с) |
    |Кубический SiC |(-SiC |2.3 |>1000 |
    |Гексагональный |(-SiC |2.9 |(500 |
    |SiC | | | | Yandex.RTB R-A-98177-2
    (function(w, d, n, s, t) {
    w[n] = w[n] || [];
    w[n].push(function() {
    Ya.Context.AdvManager.render({
    blockId: “R-A-98177-2”,
    renderTo: “yandex_rtb_R-A-98177-2”,
    async: true
    });
    });
    t = d.getElementsByTagName(“script”)[0];
    s = d.createElement(“script”);
    s.type = “text/javascript”;
    s.src = “//an.yandex.ru/system/context.js”;
    s.async = true;
    t.parentNode.insertBefore(s, t);
    })(this, this.document, “yandexContextAsyncCallbacks”);
    1 Широкая запрещенная зона 2 Высокие подвижности носителей тока 3 Химическая устойчивость 4 Высокая теплопроводность Применение SiC Указанные свойства обеспечивают возможность большого увеличения
    температуры p – n-перехода без ухудшения характеристик, благодаря чему
    карбид кремния може…