[vsesdal]
Количество страниц учебной работы: 12,7
Содержание:
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
2. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ И МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТА
3. ОСНОВНЫЕ РАСЧЕТНЫЕ ФОРМУЛЫ
4. РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ИХ АНАЛИЗ
5. ВЫВОДЫ
6. ОТВЕТЫ НА КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №8
«ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ОБРАТНОГО ТОКА ДИОДА»
1. Каков смысл понятий «валентная зона», «зона проводимости», «за-прещенная зона»?
2. Что такое «дырка» с точки зрения зонной теории?
3. Каков физический смысл уровня Ферми?
4. Каким образом создается в полупроводниках p- или n-типа проводимость?
5 Объясните механизм электропроводности собственных и примесных полупроводников.
6 Нарисуйте зонные диаграммы полупроводников p-типа и n-типа. Зонную диаграмму p-n-перехода. Объясните их.
7 Чем обусловлен обратный ток полупроводникового диода?
8 Почему в данной работе исследуемый диод нужно включать в запорном направлении?
Список использованных литературных источников
1. Рипп А.Г. Оценка погрешностей измерений. Методические указания к лабораторному практикуму по курсу физики для студентов всех специальностей. – Томск: ФДО, ТУСУР, 2006. – 13 с.
2. Мухачёв В.А. Определение ширины запрещённой зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диода. Руководство к лабораторным работам для студентов всех специальностей. – Томск: ТУСУР, 2003. – 9 с.
Учебная работа № 188079. Контрольная Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диода
Выдержка из похожей работы
Метод моментов в определении ширины линии магнитного резонанса
…..бладает некоторой шириной, обусловленной
разбросом ларморовских частот. Аналогичное уширение может иметь место в неидеальных
кристаллах благодаря взаимодействию ядерных квадрупольных моментов с малыми градиентами электрического поля, значения которых
изменяются от одного узла решетки к другому случайным образом. В обоих
случаях ширина линии обусловливается различием резонансных частот отдельных
спинов, а не взаимодействиями между ними. Соответствующее уширение линии
называется неоднородным уширением.
Положение существенно изменяется, если уширение линии
обусловлено взаимодействием между соседними спинами. Эта задача и рассматривается
в настоящей работе.
§ 1. ЛОКАЛЬНОЕ ПОЛЕ
Энергия
взаимодействия между двумя ядерными спинами зависит от величины и ориентации их
магнитных моментов, а также от длины и направления вектора, описывающего их
относительное расположение. Влияние такого взаимодействия на ширину линии
поглощения существенным образом зависит от того, зафиксирован ли этот вектор в
пространстве или его положение быстро меняется со временем вследствие относительного
движения ядер.
Последний
случай, как правило, встречающийся в жидкостях и газах, будет рассмотрен
позднее. В этой главе мы ограничимся случаем жесткой решетки, в которой ядра
можно считать неподвижными. Такое приближение разумно для многих твердых тел
при комнатной температуре, в частности для ионных кристаллов.
Энергия
диполь-дипольного взаимодействия двух магнитных моментов m1=g1ћI1 и m2=g2ћI2 описывается хорошо известным выражением
(1)
которое можно
переписать в виде
W12 = – m2 ∙H12
= – g2ћI2∙H12 ,
где H12
— локальное поле, созданное первым спином в месте расположения второго
спина. (Введение в рассмотрение понятия локального поля очень удобно.)
Поскольку ядерные магнитные моменты имеют порядок 10-3 магнетона
Бора, или 10-23 CGS, а между ядерные расстояния
порядка нескольких ангстрем, то локальные поля в жесткой решетке в общем случае
имеют порядок нескольких эрстед.
Взаимодействие
двух одинаковых диполей в сильном поле Н0 может быть описано
с классической точки зрения следующим образом. Первый диполь m1 прецессирует с ларморовской частотой вокруг поля Н0 и,
следовательно, обладает постоянной составляющей вдоль этого поля и составляющей,
которая вращается в плоскости, перпендикулярной полю. Постоянная составляющая m1 создает в месте расположения диполя m2 слабое постоянное поле, ориентация которого относительно Н0
зависит от взаимного расположения спинов. Если поле Н0 сильное,
то на него заметно влияет только параллельная или антипараллельная ему
составляющая слабого поля. Так как каждый спин в решетке имеет несколько
соседей с различными относительными положениями и ориентациями, постоянная
составляющая локального поля имеет разные значения в различных местах, что
приводит к разбросу ларморовских частот и уширению линии.
Вращающаяся составляющая
m1 создает в месте расположения m2 локальное магнитное поле, вращающееся с ларморовской частотой m1, которая совпадает с ларморовской частотой
для m2. В свою
очередь она имеет составляющую в плоскости, перпендикулярной Н0
и, следовательно, может заметно изменять ориентацию m2 благодаря явлению резонанса. Соответствующая ширина…