[vsesdal]
Количество страниц учебной работы: 5,7
Содержание:
«Расчет каскада резонансного усилителя.
Исходные данные для расчёта:
Полоса усиливаемых частот усилителя —
Промежуточная частота —
Входная проводимость следующего каскада —
Эквивалентное затухание контура —
Собственное затухание контура —
Входная емкость следующего каскада —
Требуется:
1. Выбрать схему усилителя (с автотрансформаторным или трансформаторным включением контура);
2. Исходя из коэффициента поддиапазона и граничных частот, произвести выбор и расчет элементов контура;
3. Выполнить расчет усилителя на наибольшее усиление;
4. Определить избирательность по зеркальному каналу и каналу прямого прохождения (каналу промежуточной частоты);
5. Построить резонансную кривую для двух точек поддиапазона,
6. Привести принципиальную схему каскада усилителя радиочастоты.
»
Учебная работа № 186181. Контрольная Расчет каскада резонансного усилителя
Выдержка из похожей работы
Расчет каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе
….. схеме с
общим эмиттером и стабилизацией тока покоя с помощью последовательной ООС (ООС
по току), режим работы каскада по постоянному току, входное и выходное
сопротивления, коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности,
коэффициент полезного действия.
2. Провести
моделирование рассчитанного усилительного каскада. Сравнить результаты
моделирования с результатами расчета.
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
. Принципиальная схема усилительного
каскада представлена на рисунке 1.
транзистор эмиттер биполярный ток
2. Параметры входного и выходного сигналов,
нагрузки и допустимого уровня частотных искажений М представлены соответственно
в таблицах 1 и 2.
Таблица 1
Параметр
Ед. изм
Первая
цифра номера варианта
Uвх
В
0,1
0,2
0,3
0,4
Uвых
В
1
2
3
4
fв
кГц
1000
800
600
400
fн
кГц
500
400
300
200
Таблица 2
Параметр
Ед. изм
Вторая
цифра номера варианта
Rн
Ом
100
200
300
400
Cн
пФ
6
5
5
4
М
дБ
3
3
2
2
МЕТОДИКА РАСЧЕТА
1. Расчет положения рабочей точки транзистора
Задаться:
— сопротивлением в цепи коллектора Yandex.RTB R-A-98177-2
(function(w, d, n, s, t) {
w[n] = w[n] || [];
w[n].push(function() {
Ya.Context.AdvManager.render({
blockId: «R-A-98177-2»,
renderTo: «yandex_rtb_R-A-98177-2»,
async: true
});
});
t = d.getElementsByTagName(«script»)[0];
s = d.createElement(«script»);
s.type = «text/javascript»;
s.src = «//an.yandex.ru/system/context.js»;
s.async = true;
t.parentNode.insertBefore(s, t);
})(this, this.document, «yandexContextAsyncCallbacks»);
— падением напряжения на Rэ
+ Roc (на Rэ
если Roc
отсутствует в схеме)
.(2)
Определить:
— эквивалентное сопротивление нагрузки УК по
переменному току
,(3)
где — выходное сопротивление каскада;
—
требуемое значение напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке (с учетом
температурной нестабильности — плюс 10%) (рисунок 2)
,(4)
Где — амплитуда
выходного напряжения; —
напряжение начального нелинейного участка выходных статических характеристик
транзистора, U=(1…2) В;
— требуемое значение тока коллектора в рабочей
точке (с учетом температурной нестабильности — плюс 10%) (рисунок 2)
;(5)
— среднюю мощность, рассеиваемую на коллекторе
, (6)
которая не должна превышать
предельного значения Ркmax взятого из
справочных данных на транзистор;
Рисунок 2
требуемое значение напряжения
источника питания Е
,(7)
гдеU=IR- падение напряжения на R.
При этом напряжение источника
питания E не должно
превышать U используемого
транзистора и должно соответствовать рекомендованному ряду:
Е=(5; 6; 6,3; 9; 10; 12; 12,6; 15;
20; 24; 27; 30; 36) B.
Если в результате рас…