решить задачу
Количество страниц учебной работы: 9,7
Содержание:
“Исходные данные:

Биполярный транзистор включается по схеме ОЭ, полевой транзистор – по схеме ОИ

Тип транзистора Напряжения источника
питания, В Сопротивление нагрузки, кОм
Биполярный Полевой для биполярного транзистора для полевого транзистора
КТ603А КП302А 20 20 4

1.Построить нагрузочную прямую по постоянному току (с пояснением выбранного способа построения нагрузочной прямой).
2.Выбрать положение рабочей точки (точки покоя).
3.Определить малосигнальные параметры транзистора в окрестностях точки покоя
4.Определить величины элементов эквивалентной схемы транзистора.
5.Определить граничные и предельные частоты транзистора.

Стоимость данной учебной работы: 585 руб.

 

    Форма заказа работы
    ================================

    Укажите Ваш e-mail (обязательно)! ПРОВЕРЯЙТЕ пожалуйста правильность написания своего адреса!

    Укажите № работы и вариант

    Соглашение * (обязательно) Федеральный закон ФЗ-152 от 07.02.2017 N 13-ФЗ
    Я ознакомился с Пользовательским соглашением и даю согласие на обработку своих персональных данных.

    Учебная работа № 186177. Контрольная Расчет параметров биполярного и полевого транзисторов. Вариант №5

    Выдержка из похожей работы

    …….

    Расчет биполярного транзистора КТ501А

    …..ы полевых транзисторов были зарегистрированы в Германии в 1928 году (в Канаде, 22 октября 1925 года) на имя австро-венгерского физика Юлия Эдгара Лилиенфельда. В 1934 году немецкий физик Оскар Хайл запатентовал полевой транзистор. Полевые транзисторы (в частности, МОП-транзисторы) основаны на простом электростатическом эффекте поля, по физике они существенно проще биполярных транзисторов, и поэтому они придуманы и запатентованы задолго до биполярных транзисторов. Тем не менее, первый МОП-транзистор, составляющий основу современной компьютерной индустрии, был изготовлен позже биполярного транзистора, в 1960 году. Только в 90-х годах XX века МОП-технология стала доминировать над биполярной [1].
    В 1947 году Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн в лабораториях Bell Labs впервые создали действующий биполярный транзистор, продемонстрированный 16 декабря. 23 декабря состоялось официальное представление изобретения и именно эта дата считается днём изобретения транзистора. По технологии изготовления он относился к классу точечных транзисторов. В 1956 году они были награждены Нобелевской премией по физике «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта» [1].
    Позднее транзисторы заменили вакуумные лампы в большинстве электронных устройств, совершив революцию в создании интегральных схем и компьютеров.
    Bell нуждались в названии устройства. Предлагались названия «полупроводниковый триод» (semiconductor triode), «Solid Triode», «Surface States Triode», «кристаллический триод» (crystal triode) и «Iotatron», но слово «транзистор» (transistor, образовано от слов transfer – передача и resist – сопротивление), предложенное Джоном Пирсом, победило во внутреннем голосовании [1].
    Первоначально название «транзистор» относилось к резисторам, управляемым напряжением. В самом деле, транзистор можно представить как некое сопротивление, регулируемое напряжением на одном электроде (в полевых транзисторах – напряжением между затвором и истоком, в биполярных транзисторах – напряжением между базой и эмиттером) [1].
    1. Краткий анализ технического задания
    Существует множество разновидностей транзисторов, различающихся материалом полупроводника, принципом действия, конструкцией, рабочими характеристиками.
    Все транзисторы делятся на два основных типа: полевые и биполярные. Они различаются в первую очередь основным принципом действия. Управление рабочим током в полевом транзисторе обеспечивается электрическим полем в области управляющего электрода – затвора. В биполярном транзисторе управление производится током на управляющем электроде – базе.
    Все транзисторы включают совокупность областей с n- и p-проводимостью, и для каждого типа транзисторов существует комплиментарная пара, в которой n-области одного соответствуют p-областям другого и наоборот [2].
    По материалу полупроводника транзисторы подразделяются на германиевые и кремниевые.
    Полевой транзистор имеет три основных электрода: исток, сток и затвор. Затвор является управляющим электродом, его потенциал создаёт электрическое поле, изменяющее ширину канала – области проводимости между истоком и стоком. В зависимости от его типа бывают транзисторы с каналом n-типа и с каналом p-типа. От типа канала зависит рабочая полярность на управляющем электроде [2].
    Существует несколько типов полевых транзисторов [2]:)полевые транзисторы с p-n переходами (называемые также канальными, или униполярными);)полевые транзисторы с изолированным затвором или чаще всего их называют как МДП-транзисторы.
    Частным случаем МДП-транзистора является так называемый МОП-транзистор.
    Кроме того, МДП-транзистор может изготовляться в двух вариантах [2]:
    ·МДП-транзистор с индуцированным каналом;
    ·МДП-транзистор со встроенным каналом.
    У биполярного транзистора три электрода: эмиттер, база и коллектор. Ток на базе управляет током эмиттер-коллектор. В зависимости от внутренней структуры биполярные транзисторы бывают типа n-p-n или p-n-p. Они различаются полярностью включения в схему [2].
    Таким образом, биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими р-n-переходами и тремя выводами [3]. В биполярно…