[vsesdal]
Количество страниц учебной работы: 31,5
Содержание:
СОДЕРЖАНИЕ
Введение 3
1.Теоретическая часть 4
1.1. Нанокластеры и их оптические свойства 4
1.2 Исследование оптических свойств структур на основе
нанокристаллического кремния: нанокристаллы и нанокластеры 20
2. Экспериментальная часть 26
Заключение 31
Список использованных источников 32
Список использованных источников
2. Ткалич В.Л., Макеева А.В, Оборина Е.Е. «Физические основы наноэлектроники»: учебное пособие. — СПб: СПбГУ ИТМО, 2011. – 83 с.
3. Суздалев И.П. «Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов». — М: КомКнига, 2006. – 592 с.
4. Елецкий А.В. Углеродные нанотрубки и их свойства // Успехи физических наук. – 2002 — №4. – С. 401-438
5. Patrone L. Photoluminescence of silicon nanoclusters with reduced size dispersion produced by laser ablation / L. Patrone, D. Nelson, V.I. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Giorgio // J. Appl. Phys. — 2000. — Vol. 87, N. 8. — P. 3829-3837.
6. Carius R. Photoluminescence in the amorphous system SiOx / R. Carius, R. Fischer, E. Holzenkämpfer, J. Stuke // Journal of applied physics. — 1981. — Vol. 52, N. 6. — P. 4241 — 4243.
7. De Boer W.D.A.M. Red spectral shift and enhanced quantum efficiency in phonon-free photoluminescence from silicon nanocrystals / W.D.A.M. de Boer, D. Timmerman, K. Dohnalová, I.N. Yassievich, H. Zhang, W.J. Buma, T. Gregorkiewicz // Nature Nanotechnology — 2010. — Vol. 5. — P. 878 — 884.
9. Гусев О.Б. Люминесценция аморфных нанокластеров кремния / О.Б. Гусев, Ю.С. Вайнштейн, Ю.К. Ундалов, О.С. Ельцина, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков, О.М. Сресели // Письма в ЖЭТФ. — 2011. — Т. 94, В. 5. — С. 402 — 405.
10. Sreseli O.M. Photocurrent and photoluminescence of amorphous silicon nanoclusters embedded in silicon suboxide matrix / O.M. Sreseli, O.B. Gusev, J.S. Vainshtein, Y.K. Undalov, O.S. Yeltsina, A.A. Sitnikova, E.I. Terukov // Solid State Phenomena. — 2011. — Vol. 178 — 179. — P. 465 — 470.
Учебная работа № 186952. Курсовая Нанокристаллы и нанокластеры
Выдержка из похожей работы
Применение нанокластеров в оптоэлектронике. Фотоприемники и солнечные элементы
…..
ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ, ИМПЛАНТАЦИЯ БОРА И КИСЛОРОДА, КРЕМНИЙ
Цель работы — обработка экспериментальных данных и построение
спектральных характеристик вентильной фотоэдс, структур содержащих ансамбли
нанокластеров.
В процессе работы был рассмотрен новый подход к управлению свойствами
полупроводниковых материалов, основанный на формировании в полупроводниковой
матрице наноразмерных кластеров.
При исследовании спектральных характеристик вентильной фотоэдс, структур
содержащих ансамбли нанокластеров, полученных экспериментально, была учтена
спектральная характеристика приборной функции монохроматора.
В результате изучения было наглядно показано, что применение
нанокластеров в оптоэлектронике, делает возможным создание фотоприемников и
солнечных элементов на основе кремния.
Работа выполнена на оборудовании Центра коллективного пользования научным
оборудованием “Диагностики микро- и наноструктур” при финансовой поддержке
Министерства образования и науки РФ.
Содержание
Введение
. Нанокластеры и их энергетическое состояние
. Методы исследования структур с нанокластерами
.1 Сканирующая зондовая микроскопия
2.2 Электронная оже-спектроскопия и растровая электронная
микроскопия
.3 Локальный анализ нанокластеров методом растровой
оже-микроскопии
. Влияние нанокластеров на свойства полупроводниковых
материалов
3.1 ”Захороненные” барьеры Шоттки
.2 Кластер, как участок кристаллической решетки, обработанный
пассивирующим веществом
4. Формирование ансамблей боросиликатных нанокластеров в
кремниевой матрице
4.1 Имплантация в кремний ионов кислорода и бора
.2 Изучение оптических свойства полученных структур
Заключение
Список используемой литературы
Приложение А
Приложение Б
Приложение В
Введение
Основные подходы управления свойствами полупроводниковых материалов
представляют собой использование процессов легирования их примесями для
создания определенной системы электронных уровней в запрещенной зоне. Решение
данной задачи состоит в подборе соответствующей легирующей примеси, обладающей
необходимыми свойствами. Однако в ряде случаев традиционный подход к управлению
свойствами полупроводниковых материалов наталкивается на принципиальные
ограничения:
— отсутствием в природе примесей, обладающих подходящими
свойствами;
— низкий предел растворимости атомов примесей в кристаллической
решетке полупроводника;
— высокая концентрация электрически активных собственных
дефектов решетки в легированном материале.
Новый подход к управлению свойствами полупроводниковых материалов основан
на формировании в полупроводниковой матрице наноразмерных кластеров.
Под понятием нанокластер (с английского cluster — скопление) понимают
объединение нескольких однородных элементов, которое может рассматриваться как
самостоятельная единица, обладающая своими характерными свойствами.
Движущей силой образования кластера, в общем случае, является стремление
системы к состоянию с минимальной свободной энергией.
В современной наноэлектронике в качестве основного материала преобладает
кремний, но в оптоэлектронике одним только этим материалом обойтись не удается.
На каждый спектральный диапазон оптического излучения требуется полупроводник с
соответствующей шириной запрещенной зоны. А стоимость большинства таких
полупроводников довольно велика.
Одним из вариантов решения этой задачи, как раз, является введение в кремниевую
матрицу нанокластеров, ширина запрещенной зоны, которых отличается от ш…