[vsesdal]
Количество страниц учебной работы: 19,10
Содержание:
«Содержание
Введение 3
1. Суть фотоэлектрических явлений 4
2. Фотоэффект, его виды 7
2.1 Внешний фотоэффект 9
2.2 Внутренний фотоэффект 12
2.3 Вентильный фотоэффект 14
3. Фотохромный эффект 16
Заключение 19
Список литературы 20
»
Учебная работа № 187893. Реферат Фотоэлектрические явления фотоэффект, фотохромный эффект
Выдержка из похожей работы
Фотоэлектрические преобразователи энергии
…..ия ФЭП — искусственные спутники Земли, орбитальные
космические станции, межпланетные зонды и другие КЛА. Достоинства
ФЭП: большой срок службы; достаточная аппаратурная надежность; отсутствие
расхода активного вещества или топлива. Недостатки ФЭП: необходимость
устройств для ориентации на Солнце; сложность механизмов, разворачивающих
панели ФЭП после выхода КЛА на орбиту; неработоспособность в отсутствие
освещения; относительно большие площади облучаемых поверхностей.
Для современных ФЭП характерны удельная масса 20 — 60 кг/кВт (без учета
механизмов разворота и автоматов слежения) и удельная мощность КПД преобразования
солнечной энергии в электроэнергию для обычных кремниевых ФЭ равен В каскадных ФЭП с прозрачными
монокристаллами элементов при двухслойном и при трехслойном исполнении.
Для перспективных АЭУ, сочетающих солнечные концентраторы (параболические
зеркала) и ФЭП на основе гетероструктуры двух различных полупроводников
— арсенидов галлия и алюминия, также можно ожидать .
Работа ФЭ основана на внутреннем
фотоэлектрическом эффекте в полупроводниках. Внешние радиационные
(световые, тепловые ) воздействия обуславливают в слоях 2 и 3 появление
неосновных носителей зарядов, знаки которых противоположны знакам
основных носителей р- и п-областях. Под влиянием электростатического
притяжения разноименные свободные основные носители диффундируют
через границу соприкосновения областей и образуют вблизи нее р-п
гетеропереход с напряженностью электрического поля ЕК , контактной разностью потенциалов
UK = SEK и потенциальным энергетическим
барьером WK=eUK для основных носителей, имеющих
заряд е. Напряженность поля EK препятствует их диффузии за
пределы пограничного слоя шириной S . Напряжение
зависит от температуры Т, концентраций
дырок или электронов
в p- и n-областях
заряда электрона е и постоянной Больцмана k. для неосновных
носителей EK
— движущее
поле. Оно обусловливает перемещение дрейфующих электронов из области
р в область п, а дырок — из области п в область р.
Область п приобретает отрицательный заряд, а область р-
положительный, что эквивалентно приложению к р-п переходу
внешнего электрического поля с напряженностью EВШ, встречного с EK. Поле с напряженностью EВШ — запирающее для неосновных
и движущее для основных носителей. Динамическое равновесие потока
носителей через р-п переход переводит к установлению на
электродах 1 и 4 разности потенциалов U0 — ЭДС холостого хода ФЭ. Эти явления могут происходить
даже при отсутствии освещения р-п перехода. Пусть ФЭ облучается
потоком световых квантов (фотонов), которые сталкиваются со связанными
(валентными) электронами кристалла с энергетическими уровнями W.
Если энергия фотона Wф=hv (v -частота волны света, h — постоянная
Планка) больше W, электрон покидает уровень и порождает здесь
дырку; р-п переход разделяет пары электрон — дырка, и ЭДС U0 увеличивается. Если подключить
сопротивление нагрузки RН,
по цепи пойдет ток I, направление которого встречно движению
электронов. Перемещение дырок ограничено пределами полупроводников,
во внешней цепи их нет. Ток I возрастает с повышением интенсивности
светового потока Ф, но не превосходит предельного тока In
ФЭ, который получается при …