[vsesdal]
Количество страниц учебной работы: 17,7

Содержание:
ВВЕДЕНИЕ 3
1. Матричные фотоприемные устройства с газокриогенной системой охлаждения 4
2. Семидиапазонныей фотоэлектронный комплекс. использование графена в фотоэлектронике 7
4. Полупроводниковые гетероструктуры 11
5. Прогноз развития твердотельной ик-фотоэлектроники 13
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 16
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 17

1. Болтарь К.О., Зубкова Е.Н., Иродов Н.А. и др. Исследование скорости ионно-лучевого травления гетероэпитаксиальных структур GaN /А1Х Gai.xN // Прикладная фишка, 2013. – №4. – С. 5
2. Болтарь К.О., Чинарева И.В., Седнев М.В. и др. Гетероструктуры AlGaN/AlN и солнечно-слепые p-i-n-фотоприемники на их основе // Успехи прикладной физики, 2013. – № 4. – С. 488
3. Бурлаков И.Д., Дирочка А.И., Корнеева М.Д. и др. Твердотельная фотоэлектроника. Современное состояние и прогноз развития (обзор к 50-летию факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института) // Успехи прикладной физики, 2014. – Т. 2. – № 5. – С. 509-519
4. Горелик Л.И., Полесский А.В., Тренин Д.Ю. и др. Экспериментальная апробация алгоритма обработки слабоконтрастных тепловизионных изображений в двухдиапазонной системе. – М.: Изд. МФТИ, 2011. – 165 с.
5. Дирочка А.И., Корнеева М.Д., Филачев А.М. Фотоэлектроника и приборы ночного видения // Успехи прикладной физики, 2013. – Т. 1. – № 3. – С. 307-315
6. XXII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. (22–25 мая 2012. Москва, Россия) // Труды конференции. – Москва, ГНЦ ФГУП «НПО
«Орион», 2012. – 346 с.
7. Пермикина Е.В., Кашуба А.С., Никифоров И.А. Исследование влияния дефектов в эпитаксиальных слоях CdsHgi_xTe на фотоэлектрические параметры матричных фотоприемных устройств // Успехи прикладной фишки, 2013. – №4. – С.528
8. Пономаренко В.П., Филачев А.М. Инфракрасная техника и электронная оптика. Становление научных направлений. – М.: Физматкнига, 2013. – 384 c.
9. Трошин Б.В.. Климанов Е.А.. Седнев М.В. Исследование причин возникновения дефектов при наслоении слоя индия // Успехи прикладной фишки, 2013. – № 2. – С. 208
10. Яковлева Н.И., Кравченко Н.В., Седнев М.В. и др. Матричные фотоприемные модули ультрафиолетового диапазона спектра на основе гетероэпитаксиальных структур AlGaN // Успехи прикладной физики, 2013. – № З. – С. 344

Стоимость данной учебной работы: 585 руб.

 

    Форма заказа работы
    ================================

    Укажите Ваш e-mail (обязательно)! ПРОВЕРЯЙТЕ пожалуйста правильность написания своего адреса!

    Укажите № работы и вариант

    Соглашение * (обязательно) Федеральный закон ФЗ-152 от 07.02.2017 N 13-ФЗ
    Я ознакомился с Пользовательским соглашением и даю согласие на обработку своих персональных данных.

    Учебная работа № 188435. Реферат Перспективы развития фотоэлектроники и приборов ночного видения

    Выдержка из похожей работы

    …Подобная работа временно отсутствует….