[vsesdal]
Количество страниц учебной работы: 9
Содержание:
“Задача № 14.4
Рассчитать однофазный выпрямитель, выполненный по нулевой схеме.
U1,U2,n – действующее значение первичного и вторичного напряжений и коэффициент трансформации питающего тр-ра
U2m,I2m – амплитудные значения напряжения тока на вторичной стороне тр-ра.
Ud,Id,Pd – среднее значение напряжения тока в сопротивлении нагрузки Rd и выделяющего в нем мощность.
Начертить электрическую схему и рассчитать выпрямитель, определить неизвестные величины, амплитуду образования напряжения на диоды Uобр.max, число витков обмоток тр-ра W1 и W2 и диаметры обмоточных проводов d1 и d2, площадь сечения магнитопровода S, емкость конденсатора фильтра Сф. При расчете принять кл = 0,1. По результатам расчетов выбрать по справочнику диоды выпрямителя и записать их паспортные данные.
Исходные данные V1 = 127 В, Vd = 220 В, Id = 1А
Задача № 16.10
Для заданной логической функции трех переменных Y=f(Х1*Х2*Х3)
Исходные данные
Задача №18.4
Для одной (предложенной) комбинационной логической схеме написать функцию Y2 от переменных Х1,Х2,Х3.
На основе анализа схемы и написанного для нее алгебраического выражения по заданным законам изменение во времени входных переменных построить закон изменения во времени выходного сигнала схемы.
Задача № 10
Расчитать метод транзисторного усилителя напряжения, принципиальная схема, которой приведена ниже, и определить h – параметры выбранного типа транзистора.
Исходные данные: Uвыхm = 34 В, Rн = 600 Ом, fн = 150 Гц, Епит = 12В, Мн = 1,4
”
Учебная работа № 187022. Контрольная Диоды
Выдержка из похожей работы
Полупроводниковые диоды
…..
Рисунок
3.1 – Устройство точечных диодов
В
точечном диоде используется пластинка германия или кремния с
электропроводностью n- типа
(рис.3.1), толщиной 0,1…0,6мм и площадью 0,5…1,5 мм2; с пластинкой
соприкасается заостренная проволочка (игла) с нанесенной на нее примесью. При
этом из иглы в основной полупроводник диффундируют примеси, которые создают
область с другим типом электропроводности. Таким образом, около иглы образуется
миниатюрный р-n- переход
полусферической формы.
Для
изготовления германиевых точечных диодов к пластинке германия приваривают
проволочку из вольфрама, покрытого индием. Индий является для германия
акцептором. Полученная область германия р- типа является эмиттерной.
Для
изготовления кремниевых точечных диодов используется кремний n- типа и проволочка, покрытая алюминием,
который служит акцептором для кремния.
В
плоскостных диодах р-n- переход
образуется двумя полупроводниками с различными типами электропроводности,
причем площадь перехода у различных типов диодов лежит в пределах от сотых
долей квадратного миллиметра до нескольких десятков квадратных сантиметров
(силовые диоды).
Плоскостные
диоды изготовляются методами сплавления (вплавления) или диффузии (рис. 3.2).
Рисунок
3.2 – Устройство плоскостных диодов, изготовленных сплавным (а) и диффузионным
методом (б)
В
пластинку германия n- типа
вплавляют при температуре около 500°С каплю индия (рис. 3.2, а)
которая, сплавляясь с германием, образует слой германия р- типа. Область с
электропроводностью р- типа имеет более высокую концентрацию примеси, нежели
основная пластинка, и поэтому является эмиттером. К основной пластинке германия
и к индию припаивают выводные проволочки, обычно из никеля. Если за исходный
материал взят германий р- типа, то в него вплавляют сурьму и тогда получается
эмиттерная область n- типа.
Диффузионный
метод изготовления р-n- перехода
основан на том, что атомы примеси диффундируют в основной полупроводник (рис.
3.2, б). Для создания р- слоя используют диффузию акцепторного элемента (бора
или алюминия для кремния, индия для германия) через поверхность исходного
материала.
3.1 Выпрямительные диоды
Выпрямительный
полупроводниковый диод – это полупроводниковый диод, предназначенный для
преобразования переменного тока в постоянный.
Выпрямительные
диоды выполняются на основе р-n-
перехода и имеют две области, одна из них является более низкоомной (содержит
большую концентрацию примеси), и называется эмиттером. Другая область, база – более
высокоомная (содержит меньшую концентрация примеси).
В
основе работы выпрямительных диодов лежит свойство односторонней проводимости
р-n- перехода, которое заключается
в том, что последний хорошо проводит ток (имеет малое сопротивление) при прямом
включении и практически не проводит ток (имеет очень высокое сопротивление) при
обратном включении.
Как
известно, прямой ток диода создается основными, а обратный – не основными носителями
заряда. Концентрация основных носителей заряда на несколько порядков превышает
концентрацию не основных носителей, чем и обусловливаются вентильные свойства
диода.
Основными
параметрами выпрямительных полупроводниковых диодов являются:
·
прямой ток диода Iпр, который нормируется
при определенном прямом напряжении (обычно Uпр = 1…2В);
·
максимально допустимый прямой ток Iпр мах диода;
·
максимально допустимое обратное напряжение диода Uобр мах, при котором диод еще может нормально работать
длительное время;
·
постоянный обратной ток Iобр, протекающий через
диод при обратном напряжении, равном Uобр мах;
·
средний выпрямленный ток Iвп.ср, который может длительно проходить через диод при допустимой
температуре его нагрева;
·
максимально допустимая мощность Pмах, рассеиваемая диодом, при которой обеспечивается заданная надежность
диода.
По
максимально допустимому значению среднего выпрямленного тока диоды делятся на
маломощные (Iвп.ср £ 0,3А), средней мощн…