[vsesdal]
Количество страниц учебной работы: 21
Содержание:
1.Исходные данные. Тип транзистора
2.Схема включения
3.Справочные входная и выходная характеристики
4.Определение нагрузочной прямой по постоянному току
5.Выбор положения рабочей точки
6.Определение величины
7.Определение -параметров
8.Вычисление -параметров
9.Определение величин элементов
10.Определение собственной постоянной времени коллектора
11.Определение граничных и предельных частот транзистора
12. Матрица -параметров для включения в схему с общим эмиттером
13. Расчет и построение зависимости |Y21(ω)|, |Y11(ω)|
14. Неопределенная матрица -параметров транзистора
15. Матрицы -параметров транзистора для включения с общей базой и общим коллектором
16. Определение сопротивления по переменному току
17. Построение нагрузочной прямой по переменному току
18. Определение KI, KU графическим и аналитическим способом для ре-жима малого сигнала
19. Оценка диапазона возможных значений KU за счет разброса пара-метров транзистора на основание паспортных данных
20. Построить сквозную характеристику при RГЕН =0
21.Определение
22.Определение КПД усилителя
23. Определение коэффициента нелинейных искажений KГ
24. Определение КПД для
25. Изменение положения рабочей точки режима покоя до и для нового режима повторный расчет пунктов с 6 по10 и с 17 по 23
26. Изменение положения рабочей точки режима покоя до и для нового режима повторный расчет пунктов с 6 по10 и с 17 по 23
27. Построение зависимостей от по-ложения рабочей точки в режиме покоя на основании проделанных рас-четов
28.Выводы и замечания по курсовой работе
29.Затраты времени на:
а) Поиск информации
б) Расчеты
в) Оформление
30.Библиографический список
Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Н.Н.Горюнкова. Изд. 4-е, перераб и доп. М., «Энерия».1976.
2. Электроника:Методические указания к выполнению курсовой работы/ В.И.Елфимов, Н.С.Устыленко. Екатеринбург: ГОУ УГТУ-УПИ,2003.
3. Электронная база радиоэлектронной аппаратуры. Часть 1:Методические указания и контрольные задания/А.В.Болтаев. В.И.Елфимов. Екатеринбург:
УГТУ-УПИ,1996
Учебная работа № 187034. Курсовая Усилительный каскад на биполярном транзисторе
Выдержка из похожей работы
Усилительный каскад с общим коллектором
…..збежно. Кроме того, знание способов включения и режимов работы транзисторов, а также методик построения и
анализа транзисторных схем является
обязательным для любого инженера – электронщика, даже если ему и не приходится
в реальной жизни проектировать схемы на дискретных элементах (ведь современные
микросхемы – суть транзисторные схемы, помещенные в один общий корпус с
внешними выводами).
Целью данной работы является расчет параметров
усилительного каскада с общим коллектором (ОК).
В результате выполнения данной работы, будут
получит базовые навыки проведения инженерных расчётов аналоговых электронных
устройств.
В первом разделе, теоретическая часть, будут
рассмотрены общие сведения об усилителях и транзисторах.
Во втором разделе, практическая часть, будет
рассмотрена схема электрическая принципиальная усилительного каскада с ОК.
В третьем разделе, практическая часть, будет
проведен расчет основных параметров схемы и выбор элементной базы.
В заключении будут подведены итоги работы.
1.Теоретическая часть
схема электрический
усилительный каскад
1.1 Общие сведения о биполярных
транзисторах
Биполярный транзистор – трехэлектродный
полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к
трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом
примесной проводимости. По этому способу чередования различают npn и pnp
транзисторы (n (negative) – электронный тип примесной проводимости, p
(positive) – дырочный). В биполярном транзисторе, в отличие от полевого
транзистора, используются заряды одновременно двух типов, носителями которых
являются электроны и дырки (от слова «би» – «два»). Схематическое устройство
транзистора показано на рис 1.
Рис 1. Биполярный транзистор.
Электрод, подключённый к центральному слою,
называют базой, электроды, подключённые к внешним слоям, называют коллектором и
эмиттером. На простейшей схеме различия между коллектором и эмиттером не видны.
В действительности же главное отличие коллектора – большая площадь
p-n-перехода. Кроме того, для работы транзистора абсолютно необходима малая
толщина базы.
Биполярный точечный транзистор был изобретен в
1947 году, в течение последующих лет он зарекомендовал себя как основной
элемент для изготовления интегральных микросхем, использующих
транзисторно-транзисторную, резисторно-транзисторную и диодно-транзисторную
логику.
Режимы работы биполярного транзистора:
) Нормальный активный режим.
Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход
коллектор-база – в обратном (закрыт) UЭБ>0; UКБ<0 (
для транзистора p-n-p типа, для транзистора n-p-n типа условие будет иметь вид
UЭБ<0; UКБ>0);
) Инверсный активный режим.
Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход – прямое.
) Режим насыщения. Оба p-n
перехода смещены в прямом направлении (оба открыты). Если эмиттерный и
коллекторный р-n-переходы подключить к внешним источникам в прямом направлении,
транзистор будет находиться в режиме насыщения. Диффузио…