[vsesdal]
Количество страниц учебной работы: 26,5
Содержание:
Оглавление
Введение 3
1. Принцип размерного квантования 5
2. Условия наблюдения квантовых размерных эффектов 9
3. Структуры с двумерным электронным газом 11
4. Структуры с одномерным электронным газом (квантовые нити) 13
5. Применение квантово-размерных структур в приборах микро — и наноэлектроники 14
5.1 Лазеры с квантовыми ямами и точками 14
5.2 Лавинные фотодиоды 15
5.3 Резонансные туннельные диоды 16
5.4 Фотоприемники на квантовых ямах 21
Заключение 25
Список литературы 26
Список литературы
1. . Парфенов В.В., Закиров Р.Х., Болтакова Н.В. Физика полупроводниковых приборов: Методич. пособие к практикуму по физике твердого тела. Казань: Изд-во КГУ, 2004. – 54 с.
2. Пулл Ч. — мл., Оуэнс Ф. Мир материалов и технологий, Москва.: Техносфера, 2006. — 336 с.
3. Щука А.А. Наноэлектроника, М.: Бином. Лаборатория знаний, 2012. — 342с.
Учебная работа № 186854. Реферат Квантово-размерный эффект
Выдержка из похожей работы
Квантово-размерные структуры и наноэлектронные приборы
…..нике.
Введение.
Квантово-размерные структуры
Последние три десятилетия развития физики твердого тела
характеризуются тем, что основными объектами исследования все в большей степени
становятся не массивные кристаллы, а тонкие пленки, многослойные тонкопленочные
системы, проводящие нити и кристаллиты малого размера.
То обстоятельство, что квантово-размерные структуры находятся
в центре внимания именно сейчас, вызвано интенсивным развитием в последние годы
технологии изготовления полупроводниковых структур — молекулярно-лучевой
эпитаксии (представляет собой усовершенствованную разновидность методики
термического напыления в условиях сверхвысокого вакуума), нанолитографии (метод
получения одно — и нуль-мерных структур, позволяющий вырезать области,
ограниченные по одному или двум направлениям, используя в качестве исходного
объекта структуру с двумерным электронным газом), открытием явления
самоорганизации наноструктур (методы получения с использованием эффектов
спонтанного образования наноструктур). Это дает возможность создания такого
рода структур любого профиля с точностью до одного атомного слоя. Весь комплекс
явлений, обычно понимаемый под словами «электронные свойства
низкоразмерных электронных систем», и многочисленные новые типы
электронных приборов, использующих эти свойства, — все это имеет в основе один
фундаментальный физический факт: изменение энергетического спектра электронов и
дырок в структурах с очень малыми размерами. В таких системах существенно
меняется большинство электронных свойств — возникает большое число новых, так
называемых размерных эффектов.
Наиболее кардинальной перестройкой свойств отличаются
квантовые размерные структуры, в которых свободные носители заряда локализованы
в одном, двух или во всех трех координатных направлениях в области с размерами
порядка дебройлевской длины волны носителей. При этом вступают в силу законы
квантовой механики, и происходит изменение наиболее фундаментальной
характеристики электронной системы — ее энергетического спектра. Спектр
становится дискретным вдоль координаты, по которой ограничено движение. Если
движение ограничено вдоль одного или двух направлений, то под влиянием внешних
полей и взаимодействий с центрами рассеяния (фононы, примеси) могут меняться
уже не три, а лишь две или только одна из компонент импульса электронов и
дырок, в результате чего носители ведут себя как двумерный или одномерный газ.
Квантовые структуры, в которых движение носителей ограничено
во всех трех направлениях, напоминают искусственные атомы. Здесь энергетический
спектр является чисто дискретным. Квантово-размерные структуры обладают целой
совокупностью уникальных свойств, весьма далеких от тех, какие можно наблюдать
в системе обычных, трехмерных электронов и дырок.
Такие структуры могут служить основой для создания новых
типов полупроводниковых приборов, в первую очередь для опто — и
наноэлектроники.
квантовая размерная структура наноэлектронный
1. Принцип
размерного квантования
Рассмотрим основную идею размерного квантования на примере
электронов, находящихся в очень тонкой металлической или полупроводниковой
пленке толщиной а. То обстоятельство, что в обычных условиях носители
сосредоточены в пленке и не выходят из нее в окружающую среду, означает, что
материал пленки (металл или полупроводник) представляет собой потенциальную яму
для электронов глубиной, равной работе выхода W, и шириной а.
Согласно законам квантовой механики, энергия электронов в такой яме квантуется,
то есть может принимать лишь некоторые дискретные значения Еn, где n имеет
целочисленные значения 1,2,3,…. Эти дискретные значения на…