[vsesdal]
Количество страниц учебной работы: 26,5
Содержание:
Оглавление
Введение 3
1. Принцип размерного квантования 5
2. Условия наблюдения квантовых размерных эффектов 9
3. Структуры с двумерным электронным газом 11
4. Структуры с одномерным электронным газом (квантовые нити) 13
5. Применение квантово-размерных структур в приборах микро — и наноэлектроники 14
5.1 Лазеры с квантовыми ямами и точками 14
5.2 Лавинные фотодиоды 15
5.3 Резонансные туннельные диоды 16
5.4 Фотоприемники на квантовых ямах 21
Заключение 25
Список литературы 26

Список литературы
1. . Парфенов В.В., Закиров Р.Х., Болтакова Н.В. Физика полупроводниковых приборов: Методич. пособие к практикуму по физике твердого тела. Казань: Изд-во КГУ, 2004. – 54 с.
2. Пулл Ч. — мл., Оуэнс Ф. Мир материалов и технологий, Москва.: Техносфера, 2006. — 336 с.
3. Щука А.А. Наноэлектроника, М.: Бином. Лаборатория знаний, 2012. — 342с.
Стоимость данной учебной работы: 585 руб.

 

    Форма заказа работы
    ================================

    Укажите Ваш e-mail (обязательно)! ПРОВЕРЯЙТЕ пожалуйста правильность написания своего адреса!

    Укажите № работы и вариант

    Соглашение * (обязательно) Федеральный закон ФЗ-152 от 07.02.2017 N 13-ФЗ
    Я ознакомился с Пользовательским соглашением и даю согласие на обработку своих персональных данных.

    Учебная работа № 186854. Реферат Квантово-размерный эффект

    Выдержка из похожей работы

    …….

    Квантово-размерные структуры и наноэлектронные приборы

    …..нике.
     
    Введение.
    Квантово-размерные структуры
    Последние три десятилетия развития физики твердого тела
    характеризуются тем, что основными объектами исследования все в большей степени
    становятся не массивные кристаллы, а тонкие пленки, многослойные тонкопленочные
    системы, проводящие нити и кристаллиты малого размера.
    То обстоятельство, что квантово-размерные структуры находятся
    в центре внимания именно сейчас, вызвано интенсивным развитием в последние годы
    технологии изготовления полупроводниковых структур — молекулярно-лучевой
    эпитаксии (представляет собой усовершенствованную разновидность методики
    термического напыления в условиях сверхвысокого вакуума), нанолитографии (метод
    получения одно — и нуль-мерных структур, позволяющий вырезать области,
    ограниченные по одному или двум направлениям, используя в качестве исходного
    объекта структуру с двумерным электронным газом), открытием явления
    самоорганизации наноструктур (методы получения с использованием эффектов
    спонтанного образования наноструктур). Это дает возможность создания такого
    рода структур любого профиля с точностью до одного атомного слоя. Весь комплекс
    явлений, обычно понимаемый под словами «электронные свойства
    низкоразмерных электронных систем», и многочисленные новые типы
    электронных приборов, использующих эти свойства, — все это имеет в основе один
    фундаментальный физический факт: изменение энергетического спектра электронов и
    дырок в структурах с очень малыми размерами. В таких системах существенно
    меняется большинство электронных свойств — возникает большое число новых, так
    называемых размерных эффектов.
    Наиболее кардинальной перестройкой свойств отличаются
    квантовые размерные структуры, в которых свободные носители заряда локализованы
    в одном, двух или во всех трех координатных направлениях в области с размерами
    порядка дебройлевской длины волны носителей. При этом вступают в силу законы
    квантовой механики, и происходит изменение наиболее фундаментальной
    характеристики электронной системы — ее энергетического спектра. Спектр
    становится дискретным вдоль координаты, по которой ограничено движение. Если
    движение ограничено вдоль одного или двух направлений, то под влиянием внешних
    полей и взаимодействий с центрами рассеяния (фононы, примеси) могут меняться
    уже не три, а лишь две или только одна из компонент импульса электронов и
    дырок, в результате чего носители ведут себя как двумерный или одномерный газ.
    Квантовые структуры, в которых движение носителей ограничено
    во всех трех направлениях, напоминают искусственные атомы. Здесь энергетический
    спектр является чисто дискретным. Квантово-размерные структуры обладают целой
    совокупностью уникальных свойств, весьма далеких от тех, какие можно наблюдать
    в системе обычных, трехмерных электронов и дырок.
    Такие структуры могут служить основой для создания новых
    типов полупроводниковых приборов, в первую очередь для опто — и
    наноэлектроники.
    квантовая размерная структура наноэлектронный
    1. Принцип
    размерного квантования
    Рассмотрим основную идею размерного квантования на примере
    электронов, находящихся в очень тонкой металлической или полупроводниковой
    пленке толщиной а. То обстоятельство, что в обычных условиях носители
    сосредоточены в пленке и не выходят из нее в окружающую среду, означает, что
    материал пленки (металл или полупроводник) представляет собой потенциальную яму
    для электронов глубиной, равной работе выхода W, и шириной а.
    Согласно законам квантовой механики, энергия электронов в такой яме квантуется,
    то есть может принимать лишь некоторые дискретные значения Еn, где n имеет
    целочисленные значения 1,2,3,…. Эти дискретные значения на…